Communityの皆さんへ、
最近このYoutube「新型5代目プリウスのインバータを分解する! 【ZVW60】」 (297) 新型5代目プリウスのインバータを分解する! 【ZVW60】 - YouTube
を見ていて、18:02くらいに出てくる低耐圧MOSFETの2番ピンが短くカットされているものを見つけました。
これは、端子間ショート試験でなにかあって短くされたのでしょうか？ なにか見識がある方、ご教示いただければと思います。
このMOSFETは、ルネサス社の「RBA250N04AHPF-4UA01」みたいです
https://www.renesas.com/en/document/dst/rba250n04ahpf-4ua01-40v-250a-n-channel-power-mosfet-application-automotive?r=1493016
データシートを観ると、カットしてあるピンは「ドレイン」で、８番ケース（ドレイン）と共通ピンになっているようですが、
切れた状態で出荷されているようです。
hirakuni45 さんの示したデータシートを見ました。
ゲートとドレインとの絶縁を良くする為でしょう。耐圧的な絶縁と静電容量の絶縁が有ります。
ゲートとドレインとの間に静電容量が有ります。
ゲートがプラスになってＦＥＴがＯＮになると、ドレイン電圧が下がります。
静電容量の影響で、ゲートをマイナス方向に引っ張ります。これは、ゲートドライブ側の負担が重くなります。
これをミラー効果と言います。ミラーは人の名前ですが、鏡のミラーのような効果です。
鏡に向かって歩くと、鏡に写った自分との相対速度が２倍になるような効果です。
hirakuni45さん、ありがとうございます。私も勉強不足ですが、InfineonのTO-263-7ピンで4ピン（センターピン）を短くしてあるものがあって、それを2ピンに移しているようにみえますね。そのほうがPCBの設計がしやすいのですかね？
なるほど寄生容量の観点もありますね。リカルドさん、ありがとうございます。